ヒッポキャンパスの文脈記憶エングラムに関連したバレンスの双方向的なスイッチ

科学分野:

• 神経科学は神経科学である.
• 記憶の研究 記憶の研究
• 行動心理学 行動心理学

背景:

• メモリバレンスは,復元的な性質のため,適応不良の行動に対する臨床的応用があるため,柔軟性があります.
• メモリバレンスのスイッチングの基礎となる神経機構と脳回路は,ほとんど未知のままである.

研究 の 目的:

• 記憶のバレンスの切り替えに関与する神経機構と脳回路を調査する.
• 感情的関連を逆転させるためのメモリエングラムの可塑性を探求する.

主な方法:

• オプトジェネティック・テクニックを用いて,背面歯状回 (DG) と桃体 (BLA) の基礎側複合体のメモリ・エングラム細胞にラベルを貼り,操作した.
• 恐怖と報酬の条件付けパラダイム中の細胞操作のためにチャネルロドプシン-2 (ChR2) を適用した.
• オリジナルのエングラム再活性化中に,対極のバレンスの刺激で被験者を再条件付けすることによって,メモリバレンスの逆転を評価した.

主要な成果:

• DGとBLAの両方のエングラム細胞は,再活性化されると,最初の恐怖または報酬条件付けと一致する条件づけられた応答を誘発します.
• 逆のバレンスの刺激による再条件付けは,DG-エングラム群では記憶バレンスを成功裏に逆転させましたが,BLA-エングラム群ではそうではありませんでした.
• 細胞レベルでの分析は,GDエングラム細胞間の機能的な接続性が,バレンスの逆転後に変化したことを明らかにした.

結論:

• 背面歯状回 (DG) は,メモリエングラムで可塑性を発揮し,条件づけられた感情的バレンスの逆転を可能にします.
• 新しい,反対の無条件刺激と組み合わせたDGエングラムの再活性化は,条件付き応答のバレンスを逆転させることができます.
• 発見は,感情記憶の可塑性を支配する神経回路に関する新しい洞察を提供し,DGとBLAの異なる役割を強調しています.