Ge(111)

Keith T Wong1, Youn-Geun Kim1, Manuel P Soriaga1

  • 1†Division of Chemistry and Chemical Engineering, ‡Joint Center for Artificial Photosynthesis, §Beckman Institute, and ∥Kavli Nanoscience Institute, California Institute of Technology, Pasadena, California 91125, United States.

まとめ

研究者は,原子的に平坦で酸化に耐性のあるメチル末端のゲルマニウム表面 (CH3-Ge(111) を作成しました. このオーダーされた表面は,400°Cまで安定し,高度な電子アプリケーションの可能性を示しています.