Atomic Radii and Effective Nuclear Charge
Spin–Spin Coupling: Two-Bond Coupling (Geminal Coupling)
Electric Potential Energy of Two Point Charges
Mass Analyzers: Common Types
Double Resonance Techniques: Overview
The Electrical Double Layer
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共著者、ジャーナル、引用グラフによってこの研究に関連する記事。
Updated: Jun 5, 2026

Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
Ho Jin1, Minji Ahn2,3,4, Sohee Jeong2,3,4
1Department of Chemistry, Texas A&M University , College Station, Texas 77843, United States.
研究者らは,トラングスンジセレニド (WSe2) から,明確に定義された,サイズ制御された単層量子ドット (SQD) を作成する方法を開発した. このブレークスルーは,横の量子閉じ込めが移行金属カルコゲン化物 (TMC) の二次元 (2D) エクシトンの光学特性にどのように影響するかを明らかにしています.
12:57Resonance Fluorescence of an InGaAs Quantum Dot in a Planar Cavity Using Orthogonal Excitation and Detection
Published on: October 13, 2017
10:41Enhanced Electron Injection and Exciton Confinement for Pure Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes by Introducing Partially Oxidized Aluminum Cathode
Published on: May 31, 2018
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