AgBi3S5

Gangjian Tan, Shiqiang Hao, Jing Zhao1

  • 1Beijing Center for Crystal Research and Development, Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences , Beijing 100190, P. R. China.

まとめ

電子ドーピングされたAgBi3S5を 高性能で無毒の熱電性物質として発見しました "ダブルラッティング"フォノンモードによる低熱伝導性と強化された電気特性により,800Kで約1.0のメリットが得られます.