非侵襲的な神経調節は 深いところまで進んでいます
Jacek Dmochowski1, Marom Bikson1
1Department of Biomedical Engineering, The City College of New York of CUNY, New York, NY 10031, USA.
Cell
|June 3, 2017
まとめ
研究者らは 脳の深い部位を調節するために 交差する電場を用いた 新しい非侵襲的な脳刺激方法を開発しました この画期的な発見は 将来の応用のために 脳の刺激の技術と生体物理学を 進歩させています
科学分野:
- 神経科学
- バイオ物理学
- 電気工学
背景:
- 脳の深い領域の非侵襲的な調節は 神経科学における長年の課題です
- 既存の非侵襲的な脳刺激技術は 脳の深部構造を 効果的に標的にすることが困難です
研究 の 目的:
- 脳の深い部位を刺激する 新しい非侵襲的方法を導入する
- 脳調節のための 電気フィールドの 交差の可能性を探るため
主な方法:
- 交差する高周波電場を使って ゆっくりと振動する"ビート"を生成する.
- 脳の深部構造を 非侵襲的に刺激する
主要な成果:
- 新しい技術を使って 脳の深い領域の刺激を成功裏に示しました
- バイオ物理学とテクノロジーの交差点にある 新しいアプローチを確立しました
結論:
- この研究は 非侵襲的な脳刺激技術の新たな境界を開きます
- この方法は将来の研究と 脳の深部回路を標的とした 治療への希望の道を示しています


