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Max M Shulaker1,2, Gage Hills1, Rebecca S Park1

  • 1Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California, USA.

Nature
|July 7, 2017
PubMed
まとめ

研究者らは100万以上のレジスティヴ・ランダム・アクセス・メモリー・セルと200万個の炭素ナノチューブ・フィールド・エフェクト・トランジスタを使用して,新しい3D統合回路を開発しました. この変換ナノシステムは,データ密集型アプリケーションの効率的なオンチップデータ処理とストレージを可能にします.