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Qing Yang1, Wei Xiong2, Lin Zhu1

  • 1School of Physics and Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology , Wuhan, Hubei 430074, China.

まとめ

研究者らは,ハロゲン互換のフォスフォレン二重層に新しいマルチフェロ物質を発見した. この材料は,高度な非揮発性メモリ (NVM) のための効率的な電気書き込みと磁気読み取りを可能にします.