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Feng Rao1,2, Keyuan Ding1,2, Yuxing Zhou3

  • 1State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China.

Science (New York, N.Y.)
|November 11, 2017
PubMed
まとめ

研究者らは,相変化ランダムアクセスメモリ (PCRAM) のための新しいスカンジウムアンチモンテルリド化合物を開発した. この材料は,超高速700ピコ秒の書き込み速度を実現し,キャッシュメモリアプリケーションのPCRAM性能を大幅に改善します.