シアノ機能化されたビチオフェンイミドベースのn型ポリマー半導体:合成,構造-特性相関,および熱電気性能
Kui Feng1, Han Guo1, Junwei Wang1
1Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology (SUSTech), No. 1088, Xueyuan Road, Shenzhen, Guangdong 518055, China.
Journal of the American Chemical Society
|January 15, 2021
まとめ
ビチオフェンイミド (BTI) デリバティブにシアノ機能を導入すると,新しいn型ポリマーが生成されます. これらのポリマーは,有機薄膜トランジスタ (OTFT) の安定性と有機熱電器 (OTE) の効率性を高め,深層にある最も低い空の分子軌道 (LUMO) のエネルギーレベルを示します.
科学分野:
- オーガニックの電子機器
- 材料科学
- ポリマー化学
背景:
- n型ポリマーは,安定した有機薄膜トランジスタ (OTFT) と効率的な有機熱電学 (OTE) に不可欠である.
- ビチオフェンイミド (BTI) デリバティブは有望な受容体であるが,その電子豊富な性質はLUMOの上昇につながり,デバイスの性能と安定性を制限する.
- BTIベースのポリマーのLUMOレベルを下げるには強い電子取り除くグループが必要です.
研究 の 目的:
- 強化された有機電子機器のための抑制されたLUMOエネルギーレベルを持つ新しいn型ポリマーを開発する.
- 改善されたポリマー特性のBTI誘導体に対するシアノ機能化の効果を調査する.
- 新しい受容体構成要素とその対応するポリマーを合成し,特徴づけること.
主な方法:
- 新型シアノ機能化されたビチオフェンイミド (CNI,CNTI,CNDTI) 受容体の合成
- これらの新しい構成要素を用いた受容体-受容体型ホモポリマーおよびコポリマーの開発.
- LUMOレベル,OTFTにおける安定性,OTEにおけるドーピング効率を含むポリマーの電子特性.
主要な成果:
- BTIと比較して電子欠乏性の高い新しいCNI,CNTI,CNDTIの合成に成功しました.
- -3. 64から -4. 11eVまでの,著しく抑制されたLUMOレベルを示す開発されたポリマー.
- 溶液処理による分子 n ドーピングポリマーで,高い電気伝導性 (最大 23.3 S cm−1) と功率因数 (∼10 μW m−2 K−2) を達成した.
結論:
- BTIのサイアノ機能化は,深層のLUMOを持つn型ポリマーを設計するための非常に効果的な戦略です.
- CNI,CNTI,CNDTIの新しい構成要素は,高性能なn型有機電子材料のための多用途のプラットフォームを提供します.
- この研究は,OTFTの安定性とOTEのドーピング効率の有意な改善を示し,先進的な有機電子の道を開く.
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