非揮発性レジスティブスイッチング装置としてのシングレット-ダイラジカルCo (III) -ダイマー:合成,レドックス誘発型相互変換,および電流-電圧特性
Suman Sinha1, Muhammed Sahad E2, Rakesh Mondal1
1Department of Chemistry, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Botanic Garden, Howrah 711103, India.
研究者は二核コバルト複合体を 独特のダイラジカルリガンドで合成するための レドックス制御戦略を開発した. このコバルト複合体は,高いオン/オフ比率を持つ分子メモリ装置 (メモリスター) の可能性を示しています.
科学分野:
- 協調化学
- 材料科学
- 分子電子
背景:
- リガンド中心のリドックス活動は,金属複合体において調節可能な電子特性を提供する.
- ダイラジカル複合体は分子磁気や電子機器に 興味をそそる.
研究 の 目的:
- 異常な二核二基コバルト複合体の 再酸化制御合成を開発する.
- コバルト-リガンドシステムの電子構造とリドックス相互変換を調査する.
- 分子記憶装置として 合成された複合体の応用を探る
主な方法:
- リガンド中心のリドックス戦略による二核二基コバルト (((III)) コンプレックス ([Co2 ((L•3-) 2)) の合成.
- 制御されたリガンド中心の酸化と還元により,単核および二基複合体が生成される.
- 電子構造を解明するための光譜分析 (UV-Vis, EPR) と密度関数理論 (DFT) の研究.
- メムリストル装置としての複合体の製造と試験.
主要な成果:
- 二核二基コバルト (III) 複合体 (Co2 (L3-) 2) の合成が成功しました.
- 二核と単核のコバルト複合体間のリガンド・リドックス状態の変化によるリドックス制御された相互変換が実証された.
- 複合体 [Co2(L•3-) ] (1) は,高いオン/オフ比率 (>10^4) を有する記憶的行動を示した.
結論:
- 新しいリガンド中心のリドックス戦略により,ユニークなダイラジカルコバルト複合体の合成が可能になります.
- リガンドの電子構造と再酸化状態は,複合体の性質にとって極めて重要です.
- 双核二基コバルト複合体は,抵抗性ランダムアクセスメモリ (RRAM) アプリケーションにとって有望である.
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