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Renji Bian1,2, Ri He3, Er Pan1
1School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China.
研究者は2層の3Rモリブデンジスルファイド (3R-MoS2) を使用して,疲労のないフェロ電気メモリを開発した. この画期的な発明は 材料の限界を克服し 耐久性の高い 揮発性のないメモリ装置の道を開きました
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