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P-N junction

P-N junction

A p-n junction is formed when p-type and n-type semiconductor materials are joined together. At the interface of the p-n junction, holes from the p-side and electrons from the n-side begin to diffuse into the opposite sides due to the concentration gradient. This diffusion of carriers leads to a region around the junction where there are no free charge carriers, known as the depletion region. The charge density within the depletion region for the n-side and p-side can be described by the...

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レーザーパターニングによるシリコンヘテロジャンクションバックコンタクト太陽電池

Hua Wu¹, Feng Ye¹, Miao Yang¹

¹Central R&D Institute, LONGi Green Energy Technology Co. Ltd, Xian, China.

|October 1, 2024

まとめ

レーザーパターニングは逆接触シリコン太陽電池の製造を簡素化し効率を27%以上上げますこのイノベーションは生産を加速し,様々な用途に費用対効果の高い太陽光発電ソリューションを可能にします.

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Published on: July 2, 2012

科学分野:

材料科学
再生可能エネルギー工学
太陽光発電

背景:

バックコンタクトのシリコン太陽電池は美学的な利点を持ち,建物に統合された太陽電池に適しています.
現在のパターニング技術は製造を複雑にし,電力損失につながります.
高性能な太陽電池の効率的で効率的な製造方法が必要です

研究の目的:

リターンコンタクトシリコン太陽電池のレーザーベースの製造プロセスを開発する.
太陽電池の電力変換効率を向上させるため
製造の複雑さと処理時間を短縮する.

主な方法:

バックコンタクトパターニングのために様々な波長でパルスピコ秒レーザーを利用しました.
新しい密度の高い受動性コンタクト構造を開発しました
水素化された無形シリコンの層を表面の受動化とキャリア収集のために堆積した.

主要な成果:

シリコン太陽電池の電力変換効率は27%を超えています.
インジウムのない電池は26.5%の効率で,銀のない電池は26.2%の効率で開発されました.
効率的な処理時間を新興主流技術の3分の"に短縮しました

結論:

レーザーベースの製造は,高性能のバックコンタクトシリコン太陽電池を生産するための効率的で効率的な方法を提供します.
開発された技術は,建物と輸送に太陽光ソリューションを統合することを容易にする.
この進歩はテラワットの需要を満たす太陽光発電の拡大を支援します