Chuanrui Huo1, Liyang Ma2, Yonghao Yao1

  • 1Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China.

PubMed
まとめ

研究者は,Na0.5Bi0.5TiO3-MgOナノピラーフィルムでストレスエンジニアリングを使用して新しい方法を開発しました. これはエネルギー装置の低温イオン伝導性を著しく高める.