2D Nb2GeTe4

Tianle Zeng1,2, Zishen Zhao3, Kun Ye4

  • 1Center for High Pressure Science (CHiPS), State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, 066004, China.

まとめ

研究者らは,方向性のある新しい2D Nb2GeTe4シナプスデバイスを開発しました. これらのデバイスは ニューロモルフィックコンピューティングと アダプティブAIアプリケーションの 効率的でインテリジェントなセンシングを可能にします