MOSFET: Enhancement Mode
MOS Capacitor
MOSFET
Switching of BJT
Characteristics of MOSFET
Biasing of FET
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共著者、ジャーナル、引用グラフによってこの研究に関連する記事。
Xurong Qiao1, Ziyu Liu1, Jiahui Sun1
1State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi'an Jiaotong University, Xi'an, China.
複雑な酸化物は、その抵抗性スイッチング特性により、脳型コンピューティングに有望です。このレビューでは、そのメカニズム、ニューロモルフィックデバイスでのアプリケーション、および将来の開発の方向性を探ります。