ゲートオールアラウンドナノシート電界効果トランジスタにおける寄生ボトムチャネル制御改善のためのリモートプラズマ選択的シリコンエッチングによるチューナブルサブフィンプロセスの実現

科学分野:

• 半導体デバイス物理学
• 先端材料科学

背景:

• ナノシート電界効果トランジスタ（NS-FET）における寄生サブフィンは、漏れ電流と熱放散の両方を制限する重大なボトルネックとなっています。
• この寄生要素は、NS-FETの全体的なパフォーマンス向上を妨げます。

研究 の 目的:

• NS-FETにおけるサブフィン形成を調節するための新しいサブフィン編集技術を導入すること。
• 高度なトランジスタアーキテクチャにおけるサブフィン劣化と熱管理との間のトレードオフに対処すること。

主な方法:

• リモートプラズマエッチングを利用したサブフィン編集技術の開発。
• プロセスパラメータを調整することにより、「矢じり型」から「ベル型」に移行するサブフィンプロファイルの制御された変調。

主要な成果:

• サブフィンのプロファイルの連続変調を実証しました。
• 「ベル型」プロファイルを採用することで耐熱性を向上させました。
• 「矢じり型」プロファイルで寄生サブフィン誘発劣化を低減しました。

結論:

• 提案されたサブフィン編集技術は、特定のアプリケーションに合わせてNS-FETを最適化するための柔軟性を提供します。
• この技術は、ゲートオールアラウンド（GAA）製造プロセスと互換性があります。
• NS-FETにおけるデバイス劣化と熱放散のバランスをとるための実行可能な方法を提供します。