次世代ICセキュリティ向け2DシロキセンベースUVシナプス光トランジスタを用いた刺激ゲーティングニューロモルフィックウォーターマーキング
Rajdeep Banerjee1, Priyanka Rani2, Samik Mallik2
1Organic Electronics Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, India.
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
|January 14, 2026
まとめ
本研究は、ハードウェアセキュリティのための新しいUVトリガーニューロモルフィックウォーターマーキング戦略を紹介する。この動的なウォーターマークは、ユニークなUV光パラメータを使用し、集積回路の高度な偽造防止と知的財産保護を提供する。
科学分野:
- 材料科学
- ニューロモルフィックエンジニアリング
- ハードウェアセキュリティ
背景:
- 集積回路（IC）の偽造と知的財産（IP）侵害は、エレクトロニクスにおける増大する脅威である。
- 既存のハードウェアウォーターマーキング方法は、静的で、柔軟性がなく、活性化レベルのセキュリティが欠如している。
主な方法:
- 2Dシロキセンナノシートに基づくUVトリガーシナプス光トランジスタを利用した。
- 特定のUV光パラメータ（強度、持続時間、間隔）によってアンロックされる動的なウォーターマークを作成するために、生物学的シナプス挙動をエミュレートした。
- 再現可能な論理状態遷移に光学入力とシナプス電流をリンクする決定論的興奮性シナプス後電流（EPSC）-刺激モデルを開発した。
結論:
- 刺激ゲーティング隠蔽を備えた時間領域における実験的に検証されたニューロモルフィックベースのセキュリティパラダイムを確立した。
- 所有権識別子および次世代セキュアエレクトロニクスの偽造防止プリミティブの両方として機能するウォーターマーキングスキームを提供した。
- 2D材料とニューロモルフィック原理を活用した、柔軟で安全なハードウェアウォーターマーキングソリューションを開拓した。
