-, SrTiO33

Yu Cai1, Meng-Yao Fu1, Huai-Yu Peng1

  • 1Shanghai Center of Brain-inspired Intelligent Materials and Devices, Key Laboratory of Polar Materials and Devices (Ministry of Education), Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai, China.

まとめ

ストロンチウムチタネート (SrTiO3) フィルムに酸素の空白を欠陥ストレイン技術によって導入すると,先端の電子機器のための薄膜と独立した膜の両方で安定した鉄電性と磁性を誘導します.