高出力ヘテロゲネス的に統合されたモードロックされたレーザーで,ブースター増幅器によって有効にされます

科学分野:

• フォトニクスと光学工学
• 材料科学と工学 材料科学と工学とは
• 半導体デバイスの物理 半導体デバイスの物理

背景:

• 統合モードロックレーザーは,通信やスペクトロスコーピーのようなアプリケーションに不可欠です.
• 現在の統合レーザーの設計では出力量が低く,実用的な使用が制限されています.
• 異質な統合は,これらの制約を克服する道を提供します.

研究 の 目的:

• 異質的に統合されたIII/V-on-silicon nitrideモードロックされたレーザーを実証し,出力力が向上しました.
• 現在の統合した源の電力制限に対処するために.
• 先進的なフォトニック統合のためのマイクロトランスファープリントの可能性を紹介する.

主な方法:

• 異質な統合のために2段階のマイクロ転送印刷アプローチを使用しました.
• III/V半導体光学アンプとシリコンインターポーザークーポンが組み込まれています.
• モードロックされたレーザー出力にブースターアンプが組み込まれています.

主要な成果:

• 3GHzの繰り返し周波数モードロックされたレーザーを達成しました.
• 統合されたブースターアンプを使用して,最大10.5dBの増幅された出力.
• チップ上の平均出力力は11dBmに達しました.

結論:

• マイクロ転送印刷による異質な統合は,モードロックレーザーの出力力を効果的に高めます.
• 実証されたアプローチは,統合された光子源の主要な制限を克服します.
• この技術は,さまざまなアプリケーションでより強力な統合レーザーの道を開く.