曲げられた基板のスナップショット厚さプロフィールの横断は,非均一な100nm以下の超薄膜で,曲げられた基板の横断は非均一です

科学分野:

• オプティカル・メトロロジー
• 薄膜分析について
• 表面プロフィロメトリー

背景:

• 超薄膜の厚さと表面のトポグラフィの正確な測定は,マイクロエレクトロニクスと光学デバイスの製造に不可欠です.
• 既存の方法では,フィルムの均一性と基板の歪みを同時に非破壊的に評価する能力が欠けていることが多い.
• 不均一な膜と基板の変形は,デバイスの性能に大きな影響を与える可能性があります.

研究 の 目的:

• 新しいダイナミックスペクトロエリプソメトリックインターフェロメトリー (DSEI) システムの導入と検証.
• 超薄膜の厚さと表面プロフィールの非破壊的な同時測定のためのDSEIの能力を実証する.
• 潜在的に歪んだ基板上の非均一な薄膜の高解像度横断画像を取得するために.

主な方法:

• スナップショットスキームのDSEIシステムの開発は,スペクトル干渉計 (SI) とダイナミックスペクトル画像エリプソメトリー (DSIE) を統合します.
• 強化された測定機能のためのモノリシックスペクトル偏振インターフェロメトリックモジュールを使用します.
• 超薄膜の横断面厚さのプロフィールを正確に決定するための相相補法を実装.

主要な成果:

• DSEIシステムは,100 nm未満の非均一薄膜の横断厚さのラインプロフィールを成功裏に提供しました.
• 薄膜の厚さと基板の歪みの正確な測定は,ナノメートルレベルの垂直解像度で達成されました.
• 広い視野 (10mm) が実証され,包括的なサンプル分析が可能になりました.

結論:

• 提案されたDSEIシステムは,超薄膜および基板の特徴付けのためのユニークな,破壊的でない方法を提供します.
• 開発された相補償技術により,厚さプロファイルの測定の精度が向上します.
• DSEIは,高度な材料製造における品質管理とプロセスモニタリングのための有望なツールです.