ゲート・オール・アラウンド・トランジスタにおけるストレンス・リラクゼーションと荒さに関する3D原子スケールメトロロジーは,電子プチコグラフィーを用いて行われます

科学分野:

• 材料科学 材料科学とは
• 凝縮物質物理学 凝縮物質物理学
• ナノテクノロジー ナノテクノロジー

背景:

• 次世代の半導体は,ナノスケールの機能を持つ3Dアーキテクチャを使用しています.
• X線や電子顕微鏡のような既存の計測法は,これらの複雑な構造の原子解像度や深さの感度に制限があります.

研究 の 目的:

• 埋められた半導体デバイス構造の3Dイメージングのための原子スケールメトロロジー技術を開発し,実証する.
• 先進的なトランジスタアーキテクチャの粗さ,張力,欠陥などのインターフェース特性を定量化するために.

主な方法:

• 計算機顕微鏡技術であるマルチスライス電子プチコグラフィーを利用しました.
• 3Dイメージングのためのサブ-アングストローム横断解像度とナノメートルスケールの深度解像度を達成しました.
• この技術をゲート・オールラウンド・トランジスタのプロトタイプに応用した.

主要な成果:

• 埋もれた装置構造の3Dイメージングを成功裏に実行しました.
• 定量化された原子スケールのインターフェースの粗さ,ストレス,ゲートオキシード/チャネルインターフェースの欠陥.
• チャンネルのシリコンの緩解が観察され,原子の約60%だけが塊のような構造を維持しています.

結論:

• マルチスライス電子プチコグラフィーは,原子スケールのインターフェース特性の定量,3D計測を可能にします.
• この発見は,デバイスモデリングと先進半導体の製造プロセスを最適化するための重要なデータを提供します.