注意欠陥・多動性障害児における反応抑制とワーキングメモリ：事象関連電位研究

科学分野:

• 神経科学
• 発達心理学
• 認知科学

背景:

• 注意欠陥・多動性障害（ADHD）は認知障害と関連している。
• ADHDにおけるワーキングメモリおよび反応抑制の神経メカニズムを理解することは極めて重要である。

研究 の 目的:

• ワーキングメモリおよび反応抑制の測定のためのN-back/Nogo課題の組み合わせの適用性を評価する。
• ADHD児における障害の根底にある認知的メカニズムを特定する。

主な方法:

• 2つの実験を実施した：実験1は健常児30名、実験2はADHD児41名および matched controls 34名。
• 単一および組み合わせN-back/Nogo課題中に脳波（ERP）および行動データを収集した。

主要な成果:

• 単一課題と比較して、N-back/Nogo課題の組み合わせでは健常児において有意差は認められなかった。
• ADHD児は、対照群と比較して正答率が低く、不実行率が高かった。
• ADHD群は、P300振幅の減少（N-back）およびN200潜時の延長（Nogo）を示した。

結論:

• N-back/Nogoパラダイムの組み合わせは、ワーキングメモリおよび反応抑制の評価に適用可能である。
• ADHD児は、これらの認知機能において有意な障害を示す。