高効率180 Gb/s NRZ Cバンドシリコンマイクロリング変調器、100 GHz帯域幅超え

科学分野:

• フォトニクス
• 電気工学
• 材料科学

背景:

• シリコンフォトニクスは高速光通信に不可欠である。
• マイクロリング変調器はコンパクトで効率的な変調ソリューションを提供する。
• データレートを増加させるためには高度な変調フォーマットが不可欠である。

研究 の 目的:

• 高性能シリコンマイクロリング変調器の設計と実証。
• 広い電気光学帯域幅と低Vπ・Lの達成。
• 高速データ伝送のための高度な変調フォーマットの実現。

主な方法:

• 商用プラットフォーム上でのシリコンマイクロリング変調器の設計と製造。
• 電気光学帯域幅とVπ・Lの実験的特性評価。
• 180 Gb/s NRZおよび280 Gb/s PAM-4変調フォーマットのテスト。

主要な成果:

• 3 dB電気光学帯域幅が100 GHzを超えた。
• 低Vπ・L 0.4 V・cmを-2 Vバイアスで実証した。
• 2.4 × 10⁻²ソフトデシジョン前方誤り訂正閾値以下の変調フォーマットを可能にした。

結論:

• 開発されたシリコンマイクロリング変調器は、高速光通信の要求を満たす。
• このデバイスの性能は、データ容量を増加させるための高度な変調フォーマットを促進する。
• 等化技術との統合により、データ伝送の信頼性がさらに向上する。