Ohno1
1The author is with the Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Sendai 980-8577, Japan. E-mail: ohno@riec.tohoku.ac. jp.
研究者は,溶解性の限界を乗り越えて,フェロ磁性 (Ga,Mn) AS半導体を開発しました. この画期的な発見により,電子の電荷とスピンの両方が利用可能になり,新しいスピントロニック装置への道が開けました.
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