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在不均的窄隙半导体中增强室温几何磁电阻.

Solin¹, Thio, Hines

¹NEC Research Institute, 4 Independence Way, Princeton, NJ 08540, USA. Department of Physics and Astronomy, Ohio University, Athens, OH 45701, USA.

Science (New York, N.Y.)

|September 1, 2000

概括

含有黄金的抗米盘中的室温几何磁阻在4.0 T时达到750,000%. 这种由电流偏移驱动的效应显示了磁场传感应用的潜力.

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科学领域:

凝聚物质物理学凝聚物质物理学
材料科学材料科学材料科学

背景情况:

几何磁电阻 (GMR) 是一种在具有特定几何和磁场的材料中观察到的现象.
抗氧化物 (InSb) 是一种具有有趣电子特性的半导体.

研究的目的:

为了研究温室温度的几何电磁阻在一个范德保夫盘的印抗氧化物与黄金不均质.
分析磁阻对磁场强度和不均质大小的依赖性.

主要方法:

使用同质的非磁性抗氧化物制造一个对称的范德保夫磁盘.
在磁盘内嵌入一个同心金不均.
在室温下测量各种磁场 (0.05 T,0.25 T,4.0 T) 的电阻.

主要成果:

实现了非常高的室温几何磁电阻:在0.05 T时100%;在0.25 T时9100%;在4.0 T时750,000%.
观察到独立于场的阻力,直到大不均性的发病场,然后是快速增加.
与观察到的磁阻与围绕黄金不均性的电流的取决于场的偏移相关联.

结论:

该研究表明,在InSb/Au系统中,室温有显著的几何磁阻效应.
结果突出了这种结构对于敏感磁场检测的潜力.
在不均性周围的电流偏移是控制观察到的高磁阻的关键机制.