MgB2 超导薄膜的过渡温度为 39 凯尔文
1National Creative Research Initiative Center for Superconductivity, Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Korea. wnkang@postech.ac.kr
概括
制造出高质量的二氧化 (MgB2) 薄膜,其超导过渡温度为39K.由于其高临界电流密度,这些薄膜显示出电子设备的潜力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 超导电性 超导电性 超导电性
背景情况:
- 二化物 (MgB2) 是一个具有高临界温度的有前途的超导体.
- 开发高质量的MgB2薄膜对于实际应用至关重要.
研究的目的:
- 为了制造高质量的,面向c轴的表轴MgB2薄膜.
- 描述它们的超导特性,并评估它们对电子设备的潜力.
主要方法:
- 脉冲激光沉积 (PLD) 用于在Al2O3基板上生长MgB2薄膜.
- 使用X射线衍射 (XRD) 来分析晶体结构和方向.
- 测量了超导特性,包括过渡温度和临界电流密度.
主要成果:
- 成功制造出高质量的,面向c轴的表轴MgB2薄膜.
- 这些薄膜的超导过渡温度 (Tc) 为39K.
- 实现了高临界电流密度:~6 x 10^6 A/cm^2 在5 K和~3 x 10^5 A/cm^2 在35 K的零磁场中.
结论:
- 制造的MgB2薄膜具有出色的超导性能.
- 它们的高临界电流密度表明它们在微波设备和超导量子干扰设备 (SQUID) 中具有很大的应用潜力.
- 为了实现这些卓越的性能特征,c轴方向至关重要.


