半导体纳米线的合成和特征尺寸有序的半导体纳米线在 mesoporous silica 中
N R Coleman1, N O'Sullivan, K M Ryan
1Department of Chemistry and Supercritical Fluid Centre, University College Cork, Cork, Ireland.
Journal of the American Chemical Society
|July 19, 2001
概括
研究人员使用超临界流体方法在半孔中创建了纳米线. 这种技术产生了对纳米设备和相互连接的量子受限纳米线的有序数组.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 半孔二氧化作为纳米材料合成的模板.
- 控制纳米线的生长对于电子应用至关重要.
研究的目的:
- 在半孔中合成纳米线.
- 为了研究这些量子受限纳米线的特性.
主要方法:
- 超临界流体溶液相合成.
- 甲西西兰 (TMOS) 的水解用一个triblock共聚合物表面活性剂.
- 使用电子显微镜,X射线衍射,NMR,IR光谱和X射线光进行表征.
主要成果:
- 在半孔内成功合成晶纳米线.
- 稳定,有序的纳米线的有序阵列的演示.
- 观察离散的电子和光发光转换.
结论:
- 超临界流体方法使得纳米线的高密度生产成为可能.
- 矩阵为稳定的纳米线阵列提供了一个低介电介质.
- 这些纳米线在纳米设备和互连中具有潜在的应用.
