高极化的光发光和光检测来自单个酸纳米线的单个酸纳米线
1Department of Chemistry and Chemical Biology, Division of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, MA 02138, USA.
Science (New York, N.Y.)
|August 25, 2001
概括
我们研究了化 (InP) 纳米线,发现它们的光辐射极化强. 这种特性使得新的纳米级光探测器能够用于光电子.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 化 (InP) 纳米线对光电子应用具有前景.
- 了解它们的光发光 (PL) 特性对于设备开发至关重要.
研究的目的:
- 描述个人InP纳米线的基本光发光 (PL) 特性.
- 为了定义InP纳米线对光电子的潜力.
主要方法:
- 单独的InP纳米线的PL属性的表征.
- 对极化敏感的PL强度测量.
- 对极化异质的定量分析.
主要成果:
- 在PL强度平行和垂直于纳米线轴上观察到一个引人注目的,数量级的异构性.
- 通过纳米线和环境之间的介电对比来解释异质性,而不是量子封闭.
- 使用这种内在的异质性制造出极化敏感的纳米级光检测器.
结论:
- InP纳米线在其PL中表现出显著的内在极化异质性.
- 这种异构性可以被利用来创建有效的纳米级光探测器.
- 潜在的应用包括集成光子电路,光学开关和高分辨率探测器.
