从超临界二氧化碳中沉积成形铜和薄膜

J M Blackburn1, D P Long, A Cabanas

  • 1Department of Chemical Engineering, University of Massachusetts, Amherst, MA 01003, USA.

Science (New York, N.Y.)
|September 15, 2001
PubMed
概括

研究人员开发了一种新的方法,使用超临界二氧化碳来沉积高质量的铜和薄膜. 这种技术使得合规涂层和纳米尺度特征的完整填充成为可能,这对于先进的微电子学至关重要.