在Ge-Sn系统中使用分子化学方法合成基于的红外半导体
J Taraci1, S Zollner, M R McCartney
1Department of Chemistry, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA.
Journal of the American Chemical Society
|November 1, 2001
概括
一个新的-锡 (Ge-Sn) 半导体家族使用一种新型的锡化物前体进行了合成. 这些材料具有可调节带间隙和出色的热稳定性,为先进的红外光电学铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 新型半导体合金的开发对于推进光电子设备至关重要.
- -锡 (Ge-Sn) 合金提供可调节的电子和光学性能.
- 在实现高质量的Ge-Sn薄膜,具有理想的热稳定性方面存在挑战.
研究的目的:
- 合成一个新的Ge-Sn半导体合金家族.
- 描述这些合金的结构,电子和光学特性.
- 探索它们在红外光电应用中的潜力.
主要方法:
- 化学蒸汽沉积使用稳定锡化物[{Ph}SnD{3}]和 ({Ge}2) H{6}).
- 包括拉瑟福反散射,高分辨率电子显微镜,X射线衍射,拉曼,IR和光谱圆测量在内的特征化技术.
- 分析组成,晶体结构,电子结构和光学特性.
主要成果:
- 在Si100上成功生长了具有超高结晶度和热稳定性的元稳定的钻石立方Ge{1-x) Sn{x) 薄膜.
- 证实了带有中间格子常量和Sn占据替代位点的长轴层.
- 随着Sn分数的增加,观察到带间隙的减少,可用于红外应用.
结论:
- 开发的合成路径使得能够创建具有可调节带间隙的高质量Ge-Sn合金.
- 这些Ge-Sn半导体显示出高速,高效的红外光电器件的巨大潜力.
- 这些材料表现出了显著的热稳定性和结晶性,克服了以前的限制.
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