Ge-Sn使

J Taraci1, S Zollner, M R McCartney

  • 1Department of Chemistry, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA.

概括

一个新的-锡 (Ge-Sn) 半导体家族使用一种新型的锡化物前体进行了合成. 这些材料具有可调节带间隙和出色的热稳定性,为先进的红外光电学铺平了道路.