IV:MnxGe1-x

Y D Park1, A T Hanbicki, S C Erwin

  • 1Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA.

Science (New York, N.Y.)
|January 26, 2002
PubMed
概括

我们开发了一种添加的 (Mn(x) Ge(1-x)) 铁磁半导体,其基里温度可调节. 应用一个门电压控制其铁磁性质,使其适合微电子.