高度合规的二氧化纳米层的快速蒸气沉积
Dennis Hausmann1, Jill Becker, Shenglong Wang
1Department of Chemistry and Chemical Biology, Harvard University, 12 Oxford Street, Cambridge, MA 02138, USA.
概括
这项研究引入了一种更快的原子层沉积 (ALD) 方法,用于创建统一的,合规的纳米层. 这种新的工艺显著增加了沉积率,使复杂的微电子和光学设备能够高效地涂层.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 原子层沉积 (ALD) 可实现均和合规的涂层.
- 传统的ALD受到缓慢沉积率 (每周期最多一个单层) 的限制.
研究的目的:
- 开发一种快速的ALD工艺,用于沉积无形二氧化和氧化纳米层.
- 研究一种用于提高ALD增长率的新型催化机制.
主要方法:
- 三甲基和三-丁氧-西兰醇的交替蒸汽暴露.
- 沉积的纳米层材质的特性,以统一和符合性.
主要成果:
- 每个周期达到12纳米 (超过32个单层) 的沉积速度.
- 证明了长而窄的结构的均和填充.
- 为金属酸盐ALD提出了一个新的催化生长机制.
结论:
- 新的ALD工艺显著提高了沉积速度,同时保持了涂层质量.
- 这种方法促进了先进的微电子,光学和MEMS设备的生产.
- 鉴定到的催化机制适用于更广泛的金属酸ALD工艺.
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