用单晶透明氧化物半导体制造的薄膜晶体管
Kenji Nomura1, Hiromichi Ohta, Kazushige Ueda
1Hosono Transparent ElectroActive Materials, Exploratory Research for Advanced Technology (ERATO), Japan Science and Technology (JST), 3-2-1 Sakado, Takatsu, Kawasaki 213-0012, Japan. nomura@lucid.msl.titech.ac.jp
Science (New York, N.Y.)
|May 24, 2003
概括
研究人员使用新型氧化物半导体创建了透明的场效应晶体管. 这些透明电子产品表现出高性能和稳定性,为先进的光电子应用铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 半导体设备物理 半导体设备物理
背景情况:
- 透明的电子产品需要用于先进应用的新材料.
- 氧化物半导体为透明和灵活的设备提供了潜力.
研究的目的:
- 制造和描述透明的场效应晶体管 (FET).
- 为电子通道使用单晶透明氧化物半导体.
- 用无形氧化作为门绝缘体.
主要方法:
- 使用InGaO3(ZnO) 5单晶薄膜制造透明的FET.
- 设备性能的表征,包括开关电流比和场效应移动性.
- 在可见光照射下测试设备的稳定性.
主要成果:
- 实现了大约10^6.6的开关电流比率.
- 在室温下显示出大约80cm^2/Vs的场效应移动性.
- 已确认设备操作对可见光不敏感.
结论:
- 开发的透明FET显示了透明电子产品的有希望的性能.
- 单晶InGaO3(ZnO) 5和无形氧化是透明FET的合适材料.
- 这项工作推动了下一代光电子产品透明电子的发展.
