在芯片上沉积的超高密度半导体纳米线的三维架构
Kevin M Ryan1, Donats Erts, Hakan Olin
1Department of Chemistry, Materials Section and Supercritical Fluid Centre, University College Cork, Ireland.
Journal of the American Chemical Society
|June 6, 2003
概括
我们开发了一种快速,清洁的方法,使用超临界二氧化碳在和石英上创建高密度纳米线阵列. 这些有序的纳米线呈现室温光发光,对于未来的纳米电子设备至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 订购的半导体纳米线阵列对于先进的纳米电子和光电子设备至关重要.
- 当前的制造方法往往缺乏适用于高密度应用的可扩展性或速度.
研究的目的:
- 开发一种"清洁"和快速的工艺来合成超高密度的纳米线阵列.
- 为了研究这些纳米线阵列的特性,包括它们的光发光.
主要方法:
- 使用超临界二氧化碳作为处理介质.
- 使用均的半孔薄膜作为纳米线生长的模板.
- 在和石英基板上生长有序,单向的纳米线阵列.
主要成果:
- 达到了超高密度的纳米线 (高达10^12/cm^2).
- 展示了对基板几乎垂直的单向纳米线阵列.
- 观察到的室温光发光 (PL) 取决于纳米线直径.
结论:
- 开发的超临界二氧化碳工艺使高效,高密度的纳米线合成成为可能.
- 这些有序的纳米线阵列对多层纳米电子和光电子设备的"自下而上的"制造有希望.
