统一的Si-core/CdSe-sheath纳米电缆的一步制造
1Department of Physics, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territory, Hong Kong, ROC. liquan@phy.cuhk.edu.hk
Journal of the American Chemical Society
|August 14, 2003
概括
研究人员使用简单的热蒸发方法创建了统一的核心/化外纳米电缆. 这些新型纳米电缆具有芯和化外,为新的电子应用提供了潜力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 纳米电缆异构结构对先进的电子和光电子设备具有重大兴趣.
- 核心纳米结构的受控合成对于量身定制材料特性至关重要.
研究的目的:
- 开发一种简单有效的方法来合成芯/化外纳米电缆.
- 描述由此产生的纳米电缆异构结构的微观结构和组成.
主要方法:
- 在受控条件下,将化 (CdSe) 粉末一步热蒸发到 (Si) 基板上.
- 使用先进的显微镜和光谱技术进行微观结构和化学成分分析.
主要成果:
- 超均的Si-core/CdSe-sheath纳米电缆已经成功合成.
- 这些纳米电缆表现出一个单晶立方Si核心和一个六角CdSe外.
- 合成涉及氧化物辅助纳米线的生长,作为CdSe沉积的模板.
结论:
- 一种简单的一步热蒸发方法使得Si/CdSe纳米电缆异构结构的制造成为可能.
- 氧化物辅助生长机制是形成Si纳米线模板的关键.
- 这些结果表明,生产精确定义的核心纳米电缆的有希望的途径,可用于潜在的应用.
