A Ney1, C Pampuch, R Koch+1
1Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany.
研究人员开发了一个新的可编程逻辑元件,使用单个磁随机访问存储器 (MRAM) 单元. 这项创新提供了非易失性内存和灵活的,可重新配置的逻辑门,以提高计算性能.
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