纳米线横条阵列作为集成纳米系统的地址解码器
Zhaohui Zhong1, Deli Wang, Yi Cui
1Department of Chemistry and Chemical Biology, Harvard University, Cambridge, MA 02138, USA.
Science (New York, N.Y.)
|November 25, 2003
概括
研究人员开发了一种方法来控制纳米级设备,使用分子修改交叉半导体纳米线场效应晶体管 (cNW-FET) 阵列. 这使得像传感器和计算机这样的集成纳米系统能够进行选择性定位.
科学领域:
- 纳米技术纳米技术
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 集成纳米系统需要有效的策略来解决单个纳米设备.
- 目前用于控制纳米级阵列的方法在可扩展性和精度方面面临挑战.
研究的目的:
- 提出解决交叉半导体纳米线场效应晶体管 (cNW-FET) 阵列的一般方法.
- 为了证明cNW-FET元素的选择性控制的分子级改性.
主要方法:
- 在cNW-FET阵列的交叉点上使用选择性化学修饰.
- 工程NW输入使特定的FET元件能够打开或关闭.
主要成果:
- 化学修改的cNW-FET阵列有效地作为解码器电路运行.
- 在数组内展示了增益,多重复合和脱多重复合能力.
- 通过分子修饰实现了单个FET元素的选择性处理.
结论:
- 开发的方法提供了通向可定位的集成纳米系统的途径.
- 这种方法有助于在纳米级恢复信号,这对于复杂的纳米电路至关重要.
- 为生物传感器和纳米计算机的先进应用铺平了道路.
