IN2O3

Mauro Epifani1, Pietro Siciliano, Alexander Gurlo

  • 1Istituto per la Microelettronica e i Microsistemi, IMM-CNR, Sezione di Lecce, Via Arnesano, 73100 Lecce, Italy.

概括

研究人员在环境压力下合成了高压六边形 (III) 氧化物 (In2O3). 这种新的合成方法涉及沉和化,为氧化材料的应用提供了新的可能性.