在6H-SiC (0001) 表面上,探头诱导的原生氧化物分解和局部氧化:原子力显微镜的原子力显微镜调查
Xian Ning Xie1, Hong Jing Chung, Hai Xu
1NUS Nanoscience & Nanotechnology Initiative, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, Singapore, 117542.
Journal of the American Chemical Society
|June 17, 2004
概括
原子力显微镜 (AFM) 允许对碳化 (SiC) 表面进行新的操作. 这项研究表明,在6H-SiC上进行氧化蚀刻和局部氧化物增长,从而实现高比例结构.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面科学是一门学科.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 半导体表面的原生氧化物对设备制造构成了挑战.
- 对于先进的材料来说,对表面修饰的精确控制至关重要.
研究的目的:
- 用原子力显微镜 (AFM) 研究6H-SiC上的氧化物的分解和生长.
- 探索AFM诱导的SiC表面修饰背后的机制.
- 评估生长的氧化物对潜在应用的特性.
主要方法:
- 使用带有偏差的尖端的原子力显微镜 (AFM) 诱导6H-SiC的表面反应.
- 将负偏差应用到AFM尖端用于氧化物分解和蚀刻.
- 固定AFM尖端以扩展偏差为局部氧化物生长.
- 通过I-V特征分析电子传输并评估介电强度.
主要成果:
- 6H-SiC上的原生氧化物被分解并通过负偏向的AFM尖端刻成线性结构.
- 通过固定AFM尖端和足够的偏差持续时间实现了局部氧化物增长.
- 与Si相比,在SiC上培养的氧化物表现出明显更高的比率,这归因于异型OH(-) 扩散.
- 描述了AFM培养的氧化物的电子传输和介电性质.
结论:
- AFM为6H-SiC的纳米级表面工程提供了一个强大的工具.
- SiC晶体的异构性质影响了AFM产生的氧化物的形态.
- 具有特征的AFM生长的氧化物显示出对基于SiC的设备中介电应用的希望.
