一个简单的化学途径,选择性地消除纳米管网络设备中的金属碳纳米管
Lei An1, Qiang Fu, Chenguang Lu
1Department of Chemistry, Duke University, Durham, North Carolina 27708, USA.
Journal of the American Chemical Society
|August 26, 2004
概括
研究人员开发了一种新方法,通过精确控制化学反应来去除金属纳米管来制造高性能半导体单壁碳纳米管场效应晶体管.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 电子工程 电子工程
背景情况:
- 单壁碳纳米管 (SWNTs) 对电子设备来说是有前途的.
- 在SWNT网络中的金属SWNT会降低设备的性能.
- 在高性能应用中,选择性去除金属SWNT至关重要.
研究的目的:
- 开发一种制造仅半导体SWNT网络场效应晶体管 (FET) 的方法.
- 调查离子试剂度在选择性SWNT功能化中的作用.
- 为了实现基于SWNT的高性能电子设备的生产.
主要方法:
- 制造SWNT网络的FET.
- 使用二氧化试剂的金属SWNT的选择性反应.
- 控制调整的迪亚佐尼试剂度.
主要成果:
- 实现了金属SWNT的选择性消除,同时保留了半导体SWNT.
- 证明了二氧化试剂度对选择性至关重要.
- 表明过度的试剂度导致两种SWNT类型的降解.
结论:
- 控制的二氧化功能实现了仅半导体SWNT FET的制造.
- 精确控制试剂度是设备性能的关键.
- 这种技术为可扩展,高性能SWNT电子产品提供了一条途径.


