在Ge纳米线的化学表面被动化
Tobias Hanrath1, Brian A Korgel
1Department of Chemical Engineering, Texas Materials Institute, Center for Nano- and Molecular Science and Technology, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78712-1062, USA.
Journal of the American Chemical Society
|November 26, 2004
概括
单晶 (Ge) 纳米线比散装基质更容易氧化. 稳定,联有机涂层通过基化实现,使纳米线设备的欧姆接触成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 单晶 (Ge) 纳米线表现出独特的表面特性,与散装不同.
- 了解表面氧化和被动化对于Ge纳米线应用至关重要.
研究的目的:
- 为了研究Ge纳米线的表面氧化行为.
- 探索Ge纳米线的各种化学被动化方法.
- 开发稳定的表面终端,以提高设备性能.
主要方法:
- 高分辨率的Ge 3dX射线光电子光谱 (XPS) 用于表面分析.
- 化学处理包括HCl蚀刻,HF蚀刻,硫化溶液和用基化.
主要成果:
- 与散装Ge基板相比,Ge纳米线显示出更高的氧化易感性.
- HCl蚀刻产生化物终结;HF蚀刻产生不太稳定的化物终结.
- 硫化处理形成了一个厚厚的硫化层.
- 基化产生稳定,共聚键的有机单层.
结论:
- 基纳米线表面需要有效的被动化策略.
- 热启动的基化提供了一种强大的方法,用于创建稳定的有机涂层.
- 这种被动化可以形成欧姆电接触,这对于电子设备制造至关重要.


