使用无形氧化物半导体制造透明柔性薄膜晶体管的室温制造
Kenji Nomura1, Hiromichi Ohta, Akihiro Takagi
1ERATO-SORST, JST, in Frontier Collaborative Research Center, Mail Box S2-13, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan.
Nature
|November 27, 2004
概括
研究人员开发了新的透明无形氧化物半导体 (a-IGZO) 薄膜晶体管. 这些灵活的设备在室温下提供高性能,克服了当前灵活电子设备的局限性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电子工程 电子工程
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 灵活的电子产品对于新兴应用,如纸张显示器和可穿戴计算机至关重要.
- 目前使用化无形 (a-Si:H) 和有机半导体的柔性设备具有性能限制.
- 高性能灵活设备制造面临着处理温度和设备特性之间的权衡.
研究的目的:
- 为了解决现有的灵活电子的局限性.
- 为透明薄膜晶体管 (TTFT) 引入一种新的透明无形氧化物半导体 (a-IGZO).
- 为了实现在室温下制造的高性能灵活电子设备.
主要方法:
- 开发和沉积一种新的In-Ga-Zn-O (a-IGZO) 系统作为活性通道材料.
- 在柔性聚乙烯二甲 (PET) 基板上制造透明薄膜晶体管 (TTFT).
- 材料属性的表征,包括霍尔效应的移动性,以及在曲应力下设备的性能.
主要成果:
- 在室温下沉积在PET上的a-IGZO表现出超过10cm2V-1s-1的霍尔效应流动性,比a-Si:H高出一个数量级.
- 制造的TTFT证明了6-9cm2V-1s-1.1的和流动性.
- 即使在TTFT板的重复曲后,设备的特性也保持稳定.
结论:
- 新型a-IGZO是高性能透明柔性电子产品的一个有前途的材料.
- 高性能柔性TFT的室温制造是可以实现的.
- 这些进步为显示器和可穿戴计算中的实际应用铺平了道路.
