在上有机单层的真正定量XPS表征:对H-Si上基和基单层的研究111)

Xavier Wallart1, Catherine Henry de Villeneuve, Philippe Allongue

  • 1Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, CNRS-UMR 8520, Avenue Poincaré, B.P. 69, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France. Xavier.Wallart@iemn.univ-lille1.fr

概括

精确的X射线光电子光谱 (XPS) 对于描述与有机界面至关重要. 本研究提出了量化表面组成的方法,考虑X射线光衍射和光电子衰减长度,以进行可靠的接口分析.