n型场效应晶体管是由单个添加多壁碳纳米管制成的
Kai Xiao1, Yunqi Liu, Ping'an Hu
1Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, P. R. China.
Journal of the American Chemical Society
|June 16, 2005
概括
这项研究详细介绍了使用化碳纳米管制造的场效应晶体管的创建,揭示了它们的n型半导体特性. 传输分析表明,肖特基屏障效应主导了电子流.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
背景情况:
- 碳纳米管 (CNT) 是用于电子设备的有希望的纳米材料.
- 兴奋剂可以在特定应用中修改 CNT 的电子特性.
- 了解CNT-电极接口的电荷传输对于设备性能至关重要.
研究的目的:
- 制造和描述一个场效应晶体管 (FET),使用单一的多壁化碳纳米管 (N-CNT).
- 为了研究N-CNT的电特性和n型行为.
- 分析N-CNT和 (Pt) 电极之间的接触特性.
主要方法:
- 使用单个多壁N-CNT.的场效应晶体管装置的制造.
- 包括运输测量在内的N-CNT FET的电气特性.
- 取决于温度的双终端运输实验,以探测电荷载体机制.
主要成果:
- 制造出来的N-CNT具有明显的n型半导体特性.
- 对N-CNT和Pt电极之间的接触电阻进行了详细分析.
- 温度依赖性研究表明,运输是由热电辐射和道化控制的.
结论:
- 个别的N-CNT可以在FET中充当n型通道材料.
- 在N-CNT/Pt接口上存在大约0.2 eV的Schottky接触屏障.
- 这些发现为基于N-CNT的电子设备中的电荷传输机制提供了洞察力.


