碳纳米管图形代:高度定向的增长由面向的纳米脚
Ariel Ismach1, David Kantorovich, Ernesto Joselevich
1Department of Materials and Interfaces, Weizmann Institute of Science, Rehovot 76100, Israel.
Journal of the American Chemical Society
|August 18, 2005
概括
单壁碳纳米管是在蓝宝石纳米步骤上生长的. 纳米管的格拉福皮塔克斯控制的对齐,根据表面条件产生直线,平行结构或波状结构.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 表面科学是一门学科.
背景情况:
- 控制单壁碳纳米管 (SWCNTs) 的生长和对齐对于它们在纳米电子中的应用至关重要.
- 自组装的纳米结构为指导纳米管生长提供了潜在的模板.
- 蓝宝石基板广泛用于材料科学和半导体制造.
研究的目的:
- 为了研究单壁碳纳米管 (SWCNTs) 沿着错误切割的蓝宝石上自组装的纳米步骤的定向生长.
- 探索切割误差方向和回火条件对SWCNT对齐和形态的影响.
- 为了证明图形代作为一种控制SWCNT生长方向性的方法.
主要方法:
- 化失误的C平面蓝宝石基板,以创建自组装的纳米步骤.
- 化学蒸汽沉积 (CVD) 用于单壁碳纳米管的生长.
- 使用电子显微镜和其他表面分析技术对纳米管形态和对齐的表征.
主要成果:
- 单壁碳纳米管成功地沿着自组装的纳米步骤在化错误切割的C平面蓝宝石上生长.
- 在特定条件下,Graphoepitaxy能够形成前所未有的直线和平行SWCNT,其角度偏差只有+/-0.5度.
- 波形SWCNTs,符合牙形的nanosteps,在不同的误切方向和回火参数下观察到.
结论:
- 这项研究表明,使用蓝宝石纳米脚上的图形表皮质检测来精确控制SWCNT生长方向性.
- 这些发现突出了定制表面形态的潜力,用于制造电子应用的对齐SWCNT结构.
- 这种方法为产生具有可调节性质的高度排序的纳米管阵列提供了一条途径.
