最近在CaCu3Ti4O12薄膜通过光谱圆测量计量学的表征方面取得了进展
Raffaella Lo Nigro1, Graziella Malandrino, Roberta G Toro
1Istituto per la Microelettonica e Microsistemi, IMM-CNR Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy.
Journal of the American Chemical Society
|October 6, 2005
概括
一种新的MOCVD方法生产了铜酸盐 (CaCu3Ti4O12) 薄膜. 在LaAlO3基板上的长轴膜由于结构秩序增加,显示出更高的介电反应.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 薄膜沉积的情况
- 介电性质 介电性质
背景情况:
- 铜酸 (CaCu3Ti4O12) 是一种具有显著介电性质的材料.
- 控制薄膜的结构顺序对于优化其性能至关重要.
研究的目的:
- 开发一种新的MOCVD方法来种植CaCu3Ti4O12薄膜.
- 研究CCTO薄膜中的结构秩序和介电反应之间的关系.
- 为了比较不同基板上的薄膜特性.
主要方法:
- 新型金属有机化学蒸汽沉积 (MOCVD) 用于CaCu3Ti4O12 (CCTO) 薄膜生长.
- 在LaAlO3{100}) 上的表层生长和在Pt/TiO2/SiO2/Si{100}) 基板上的多晶生长.
- 原子力显微镜 (AFM) 用于表面形态和颗粒大小分析.
- 光谱圆测量法用于确定介电常数 (epsilon2) 的电子部分.
主要成果:
- 在LaAlO3(100) 和Pt/TiO2/SiO2/Si(100) 基板上成功沉积CCTO薄膜.
- 在LaAlO3上取得的Epitaxial CCTO ((001) 薄膜;在Pt/TiO2/SiO2/Si ((100) 上获得的多晶薄膜.
- 薄膜中较高的结构顺序与较大的介电反应相关 (epsilon2).
- 介电性质受到谷物体积与谷物边界面积的比率的影响.
结论:
- 新的MOCVD方法可以控制CCTO薄膜的生长,其结构顺序不同.
- 优化薄膜结构是提高CCTO介电性能的关键.
- 了解颗粒边界的作用对于定制介电性质至关重要.
