在磁对齐的光盘液晶半导体中,场效应晶体管的移动性具有很高的异构性
Igor O Shklyarevskiy1, Pascal Jonkheijm, Natalie Stutzmann
1High Field Magnet Laboratory, Institute for Molecules and Materials, Radboud University Nijmegen, Toernooiveld 7, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands.
Journal of the American Chemical Society
|November 17, 2005
概括
一个磁场将六enzocoronene (HBC) 分子对齐,创建高度定向的薄膜. 这种方法增强了溶液处理场效应晶体管 (FET) 中的电荷载体移动性,并导致了高移动性异构性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 有机电子 有机电子
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 高排序的有机半导体薄膜对于先进的电子设备至关重要.
- 控制薄膜中的分子对齐仍然是有机电子学的挑战.
研究的目的:
- 研究使用磁场来定位替代的六enzocoronene (HBC) 分子.
- 使用磁对齐的HBC薄膜制造和表征溶液处理的场效应晶体管 (FET).
主要方法:
- 在薄膜沉积过程中施加磁场以实现分子方向.
- 使用光学显微镜和广角X射线测量来分析膜结构.
- 制造场效应晶体管 (FET) 并测量电荷载体的移动性和异构性.
主要成果:
- 实现了大面积,高度定向的HBC单域,其分子平面与磁场对齐.
- 与非对齐材料相比,制造的FET具有显著增强的电荷载体流动性 (高达10~-3cm2/Vs).
- 观测到高移动性异构体 (25-75) 和确定了垂直于磁场的纤维状上层结构.
结论:
- 磁场对齐是生产高度排序的有机半导体薄膜的有效方法.
- 对齐的HBC薄膜可以制造具有异型电荷传输特性的高性能FET.
- 设备的性能受到分子对齐,超结构形成和电极间距之间的相互作用的影响.
