大规模的Ni-doped ZnO纳米线阵列以及电气和光学性能
Jr H He1, Chang S Lao, Lih J Chen
1School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332-0245, USA.
Journal of the American Chemical Society
|November 25, 2005
概括
配氧化物纳米线显示电导率增加了30倍. 氧化物 (ZnO) 纳米线的这种进步为新的纳米电子设备铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 氧化 (ZnO) 纳米线 (NW) 是电子应用的有希望的纳米材料.
- 兴奋剂是调整 ZnO NWs 的电和光特性的一个关键策略.
研究的目的:
- 为了研究 (Ni) 兴奋剂对ZnO NW阵列特性的影响.
- 探索Ni-doped ZnO NWs在纳米电子设备中的潜力.
主要方法:
- Ni-doped ZnO纳米线阵列的大规模生长.
- 对单个化ZnO NWs的电导度测量.
- 光发光 (PL) 谱学用于分析光学特性.
主要成果:
- 实现了单个化ZnONWs的电导率的30倍增加.
- 观察到杂的ZnO NWs的PL频谱中的红色偏移.
- 表明可能的兴奋剂诱导带边曲.
结论:
- 尼奥兴奋剂显著提高了ZnO NWs的电导率.
- 观察到的光学变化表明了电子带结构的修改.
- 配的 ZnO NW 阵列适用于开发集成的纳米级晶体管,传感器和光检测器.
