在单个碳纳米管上组装的集成逻辑电路
Zhihong Chen1, Joerg Appenzeller, Yu-Ming Lin
1IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, USA.
Science (New York, N.Y.)
|March 25, 2006
概括
研究人员使用由单壁碳纳米管 (SWCNT) 制成的12个场效应晶体管 (FET) 创建了一个五阶段环振荡器. 这表明SWCNT在高频集成电路中的潜力.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 单壁碳纳米管 (SWCNTs) 具有特殊的电性能,包括室温弹道运输.
- 基于SWCNT的单个场效应晶体管 (FET) 显示了与设备相比的直流 (dc) 性能.
研究的目的:
- 调查SWCNTs的高频交流电 (ac) 能力.
- 使用SWCNTs制造集成电路.
主要方法:
- 一个五阶段环振荡器电路的构造.
- 在单个碳纳米管中整合12个FET.
- 通过调整p型和n型FET的门工作函数来实现一个互补的金属氧化物半导体 (CMOS) 样架构.
主要成果:
- 使用SWCNTs成功制造了一个功能性的五阶段环振荡器.
- 用单个SWCNT FETs展示了一个CMOS类型的架构.
- 为研究基于SWCNT的集成电路的高频性能奠定了基础.
结论:
- SWCNT是构建高频集成电路的可行材料.
- 开发的制造方法可以创建复杂的SWCNT电子设备.
- 进一步的研究可以探索SWCNT电路的先进AC特性和应用.
