门平面化低工作压有机场效应晶体管,通过热聚合物压缩/嵌入导电金属线路来实现
Antonio Facchetti1, Myung-Han Yoon, Tobin J Marks
1Department of Chemistry and the Materials Research Center, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208, USA. a-facchetti@northwestern.edu
Journal of the American Chemical Society
|April 13, 2006
概括
一种新的热聚合物压缩技术使得平面有机场效应晶体管 (OFET) 的制造成为可能. 这种方法可以为均的绝缘体涂层和低压电子电路创建光滑,自平面化的门塑料基板.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电子工程 电子工程
- 聚合物科学 聚合物科学
背景情况:
- 制造统一的门结构对于可靠的有机场效应晶体管 (OFET) 性能至关重要.
- 现有的方法往往难以实现平面,阻碍了随后的层沉积.
研究的目的:
- 展示一种新的,可扩展的工艺,用于制造网关平面化的OFET.
- 开发一种适用于各种导体和聚合物矩阵的多功能方法.
主要方法:
- 使用热聚合物压缩将导电金属特征 (Al,Au,Ag) 嵌入到聚合物基板上.
- 从捐赠基质转移狭窄的金属线 (低至15微米) 到热压聚合物.
- 在得到的光滑,平面的门-塑料复合材料上涂上薄聚合物绝缘体.
主要成果:
- 实现了光滑,平坦,自平面化的门塑料基板复合材料.
- 证明了各种金属线路的成功转移,包括印刷银.
- 在低电压下运行的p型和n型半导体制造的功能性OFET.
结论:
- 热聚合物压缩提供了一条可行的通道,用于网关平面化OFET制造.
- 这种技术使绝缘体具有均的涂层,这对于高性能设备至关重要.
- 该过程为创建印刷电子电路和产品开辟了新的途径.
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